Arbeit an einem Mikrochip (Symbolbild). © franz12/ iStock / Getty Images Plus/ Getty Images www.gettyimages.de
EQS-Media / 02.06.2026 / 08:30 CET/CEST
AIXTRON F&E-Anlage bildet Herzstück des neuen Halbleiterlabors der
Pennsylvania State University
Herzogenrath, 2. Juni 2026 - AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein führender Anbieter
von Beschichtungsanlagen für die Halbleiterindustrie, gab heute bekannt,
dass ein Close Coupled Showerhead(TM) (CCS) F&E-System des Unternehmens das
Herzstück eines neuen Halbleiterforschungslabors am Materials Research
Institute (MRI) der Pennsylvania State University bilden wird.
Das neue Labor im Millennium Science Complex auf dem University-Park-Campus
wird die Forschungskapazitäten von Penn State im Bereich neuartiger
Halbleiter-Dünnschichten und Bauelemente deutlich erweitern. Finanziert wird
das Labor durch Infrastrukturmittel in Höhe von 4,3 Millionen US-Dollar
sowie durch Sachleistungen im Rahmen der Mitgliedschaft der Universität im
Midwest Microelectronics Consortium (MMEC), das Teil der
Microelectronics-Commons-Initiative des US-Verteidigungsministeriums im
Rahmen des CHIPS Act ist.
Im Zentrum der Anlage steht AIXTRONs fortschrittliches Close Coupled
Showerhead(TM) (CCS) Depositionssystem. Das CCS-System ermöglicht das
hochpräzise epitaktische Wachstum hochwertiger Halbleiterschichten auf
Substraten mit einem Durchmesser von bis zu 100 mm. Das installierte System
ist speziell dafür ausgelegt, sowohl Galliumnitrid (GaN) als
Wide-Bandgap-Material für leistungsstarke Leistungselektronik als auch
zweidimensionale (2D-)Materialien herzustellen. Diese atomar dünnen
Halbleiter gelten als besonders vielversprechend für Anwendungen in Logik,
Optoelektronik und neuromorphem Computing.
"Wir sind stolz darauf, dass unsere Technologie eine zentrale Rolle beim
Ausbau der Halbleiter-F&E-Infrastruktur von Penn State spielt. Die
Möglichkeit, Wide-Bandgap- und 2D-Materialien in einem einzigen
Depositionssystem herzustellen, eröffnet großes Potenzial - sowohl für die
akademische Forschung als auch für die Entwicklung praxisnaher Anwendungen.
Diese reichen von energieeffizienten Leistungsbauelementen für
Elektrofahrzeuge bis hin zu KI-Hardware der nächsten Generation", sagte Dr.
Felix Grawert, CEO der AIXTRON SE.
"Die Einrichtung wird als nationale Nutzerplattform dienen, praktische
Schulungen für Studierende und Nachwuchsforschende anbieten und zugleich
industrienahes Prozess-Know-how vermitteln", sagte Professor Joan Redwing,
Distinguished Professor für Materialwissenschaft und Werkstofftechnik sowie
Elektrotechnik und Direktorin der 2D Crystal Consortium Research Facility
der Universität. Sie fügte hinzu: "Wir freuen uns auf die Zusammenarbeit
zwischen Penn State und AIXTRON, um qualifizierte Fachkräfte auszubilden und
Spitzenforschung im Bereich Halbleiterbauelemente zu unterstützen. Diese
Initiative zeigt beispielhaft, wie Wissenschaft und Industrie gemeinsam das
Innovationsökosystem und die Lieferkette der USA stärken können."
Die Skalierbarkeit des Close Coupled Showerhead(TM) (CCS)-Systems ermöglicht es
Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftlern von Penn State, den Weg von der
materialwissenschaftlichen Grundlagenforschung bis zur Herstellung von
Bauelement-Prototypen zu beschleunigen - und damit Innovationen in Bereichen
wie Elektromobilität, erneuerbare Energien und Hochleistungsrechnen
voranzutreiben.
Ansprechpartner
Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail c.ludwig@aixtron.com
Über AIXTRON
Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von
Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983
gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie
Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die
Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten
Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für
elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von
Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese
Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien
und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und
Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und
-umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere
anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIX-Multi-Ject®, AIXTRON®, Close
Coupled Showerhead®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, HXP®, HYPERION®,
Multi-Ject®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, TriJet®
Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im
Internet unter www.aixtron.com verfügbar.
Zukunftsgerichtete Aussagen
Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die
Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe
wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen",
"beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen",
Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese
zukunftsgerichteten Aussagen. Solchezukunftsgerichtete Aussagen geben die
gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON
Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches
liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und
Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder
Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen
zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass
Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse,
Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen
abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage
genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum
Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang
der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der
endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima
und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen
Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld,
Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen,
Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und
Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine
Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs,
Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen
bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung
der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die
AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt
Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene
zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und
Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur
Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer
Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine
ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.
Dieses Dokument liegt ebenfalls in Englische vor, bei Abweichungen geht die
englische maßgebliche Fassung des Dokuments der deutschen Übersetzung vor.
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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
Schlagwort(e): Forschung/Technologie
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Sprache: Deutsch
Unternehmen: AIXTRON SE
Dornkaulstraße 2
52134 Herzogenrath
Deutschland
Telefon: +49 (2407) 9030-0
Fax: +49 (2407) 9030-445
E-Mail: invest@aixtron.com
Internet: www.aixtron.com
ISIN: DE000A0WMPJ6
WKN: A0WMPJ
Indizes: MDAX, TecDAX
Börsen: Regulierter Markt in Frankfurt (Prime Standard);
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