WIN Semiconductors bestellt AIXTRON-Produktionsanlage für Solarzellen
Aachen, 10. Juli 2007 – Im ersten Quartal 2007 hat die AIXTRON AG einen Auftrag von WIN Semiconductors Corporation, Taiwan erhalten. Das Unternehmen, ein führender Hersteller von Hochfrequenzchips, hat sein Produktportfolio erweitert und plant nun auch, Solarzellen herzustellen. Dieser neue Geschäftsbereich wird unter anderem auf einer AIXTRON AIX 2600G3 IC-Anlage basieren.
Mit dieser neuen Anlage wird WIN Semiconductors so genannte Triple-Junction-Solarzellen auf Germanium-Trägermaterialien herstellen, die für terrestrische Anwendungen geeignet sind. Der Kunde hat dafür einen modernen Reinraum in Kuei Shan Hsiang in Taiwan gebaut, in dem die Anlage zu stehen kommt.
WIN Semiconductors ist auf die Entwicklung und Produktion von Hochfrequenzchips, die auf Galliumarsenid- (GaAs-) Materialien basieren, spezialisiert. Es ist eines der ersten Unternehmen in Taiwan, das einen potentiellen Markt für Solarzellen aus Verbindungshalbleitern für terrestrische Anwendungen sieht.
Ein Sprecher des Unternehmens kommentiert: „Wir haben uns für eine AIXTRON-Anlage entschieden, weil die europäischen Schlüsselunternehmen in der Solarindustrie AIXTRONs MOCVD*-Depositionsanlagen nutzen. Diese Erfolgsgeschichte hat uns überzeugt. Wir sind sehr zuversichtlich, dass wir mit der Anlage ebenfalls sehr erfolgreich in diesem Markt sein werden.“
AIXTRON AG bietet den weltweit größten, in der Produktion bewährten Reaktor für die Produktion von Solarzellen an. Immer mehr Firmen, die sehr effiziente und kostengünstige terrestrische Solarzellen auf Galliumarsenidbasis herstellen wollen, entscheiden sich für AIXTRON-Anlagen. Mit dem MOCVD-Beschichtungsverfahren wurden Rekord-Ergebnisse bei der Herstellung von Solarzellen für Weltraumanwendungen erreicht; nun wird es dazu beitragen, den kostengünstigen Einsatz dieser Solarzellen auf der Erde zu etablieren. Und AIXTRON investiert in diese Technik, um weiterhin der Spitzenreiter zu bleiben.
*MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung