Die Münchner Infineon Technologies AG teilte mit, dass
Forscher des Konzerns einen neuen Geschwindigkeits-Weltrekord
für Siliziumchips aufgestellthaben.
In den Münchner Forschungslabors
erreichten demnach Elektronikbausteine in der hauseigenen
Silizium-Germanium-Bipolar-Technologie die bislang
unerreichte Betriebsfrequenz von mehr als 110 Gigahertz bei
minimaler Stromaufnahme.
Zum Vergleich: Prozessoren für Personal
Computer in Silizium-CMOS-Technologie arbeiten heute
in der Spitze mit weniger als 4 Gigahertz.
Bisher seien diese hohen Frequenzen lediglich für Bauelemente
aus Galliumarsenid erreichbar gewesen, aber Silizium sei
deutlich preisgünstiger und lässt sich in erprobten Prozessen
verarbeiten, so die Mitteilung weiter.
Forscher des Konzerns einen neuen Geschwindigkeits-Weltrekord
für Siliziumchips aufgestellthaben.
In den Münchner Forschungslabors
erreichten demnach Elektronikbausteine in der hauseigenen
Silizium-Germanium-Bipolar-Technologie die bislang
unerreichte Betriebsfrequenz von mehr als 110 Gigahertz bei
minimaler Stromaufnahme.
Zum Vergleich: Prozessoren für Personal
Computer in Silizium-CMOS-Technologie arbeiten heute
in der Spitze mit weniger als 4 Gigahertz.
Bisher seien diese hohen Frequenzen lediglich für Bauelemente
aus Galliumarsenid erreichbar gewesen, aber Silizium sei
deutlich preisgünstiger und lässt sich in erprobten Prozessen
verarbeiten, so die Mitteilung weiter.
