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ITRS setzt Nanoimprint-Lithographie auf seine Roadmap
von Mark LaPedus, Silicon Strategies
January 19, 2004 (6:36 p.m. EST)
URL: www.siliconstrategies.com/story/OEG20031204S0014
AUSTIN — Während die Immersions-Lithographie in diesen Tagen Schlagzeilen macht, taucht mit der Nanoimprint-Lithographie eine weitere vielversprechende Technologie auf.
Molecular Imprints Inc. (MII), einer der führenden Entwickler der Nanoimprint-Technologie, hat diese Technik jetzt auf die 2003-er Ausgabe der International Roadmap for Semiconductors - kurz ITRS - gesetzt. Die ITRS-Roadmap sieht die Nanoimprint-Lithographie derzeit für den 32-nm-Bereich vor, der für das Jahr 2009 anvisiert ist.
Die Ankündigung "untermauert die Glaubwürdigkeit der Step- und Flash-Imprint-Lithographie als tragfähige Technologie für die Chipherstellung", erklärt S.V. Sreenivasan, CTO von MII, in einer Pressemitteilung. "MII arbeitet mit seinen strategischen Partnern - darunter Lam Research, KLA-Tencor, Motorola und DARPA - an der Reduzierung der mit dieser neuen Technologie verbundenen Risiken. Wahrscheinlich kommt die Technologie früher als geplant, insbesondere was kritische Layer betrifft."
Die Ankündigung lässt weitere Fragen über die Entwicklung und Wirtschaftlichkeit einer anderen neuen Lithographie-Technologie aufkommen - der EUV-Lithographie (Extreme Ultraviolet). Die EUV sollte ursprünglich 2007 in großem Stil in die Fabs Einzug halten. Doch Intel und andere Unternehmen haben EUV bis 2009 oder darüber hinaus auf die lange Bank geschoben.
Bei auf Immersions-Techniken basierenden Lithographie-Verfahren werden derzeit schnelle Fortschritte erzielt. Die EUV könnte hierdurch ins Abseits geraten. Die Immersion erweitert die optische Lithographie und soll Analysten zufolge um 2005/2006 in die Fabs einziehen.
Bei der Nanoimprint-Lithographie handelt es sich ebenfalls um eine viel versprechende Technologie, die jedoch als Nischenlösung für die Herstellung von MEMS, optischen Bausteinen und anderen Produkten gilt - jedenfalls bislang. Einige sind überzeugt, dass es die Nanoimprint-Tools sogar in die Chip-Massenproduktion schaffen könnten. Sogar Intel soll in die Technologie investieren.
Nanoimprint-Tools werden von verschiedenen Kleinunternehmen entwickelt. Zu diesen wenig bekannten Pionieren gehören unter anderem die EV Group, MII, Nanonex, Obducat und andere.
Diese Unternehmen entwickeln keine konventionellen Fotolithographie-Scanner, sondern Tools, die eher an "Elektronenstrahl-Replikatoren" erinnern. Diese verwenden UV- und Flüssig-Emersions-Technologien für die Erzeugung der gewünschten Muster auf dem Wafer.
Die Aufnahme der Imprint-Lithographie in die ITRS-Roadmap erfolgte auf Empfehlung der Lithography International Technology Working Group (ITWG). MII, Motorola und KLA-Tencor profilierten such bei einer Präsentation auf Einladung der ITWG im Juli 2003 bereits als Vorkämpfer der Imprint-Lithographie.
Die Ankündigung folgt der Veröffentlichung der neuen ITRS-Roadmap auf der diese Woche in Taiwan stattfindenden ITRS-Winterkonferenz. Die Roadmap gilt allgemein als Trendindikator für Halbleiter-Technologien.
von Mark LaPedus, Silicon Strategies
January 19, 2004 (6:36 p.m. EST)
URL: www.siliconstrategies.com/story/OEG20031204S0014
AUSTIN — Während die Immersions-Lithographie in diesen Tagen Schlagzeilen macht, taucht mit der Nanoimprint-Lithographie eine weitere vielversprechende Technologie auf.
Molecular Imprints Inc. (MII), einer der führenden Entwickler der Nanoimprint-Technologie, hat diese Technik jetzt auf die 2003-er Ausgabe der International Roadmap for Semiconductors - kurz ITRS - gesetzt. Die ITRS-Roadmap sieht die Nanoimprint-Lithographie derzeit für den 32-nm-Bereich vor, der für das Jahr 2009 anvisiert ist.
Die Ankündigung "untermauert die Glaubwürdigkeit der Step- und Flash-Imprint-Lithographie als tragfähige Technologie für die Chipherstellung", erklärt S.V. Sreenivasan, CTO von MII, in einer Pressemitteilung. "MII arbeitet mit seinen strategischen Partnern - darunter Lam Research, KLA-Tencor, Motorola und DARPA - an der Reduzierung der mit dieser neuen Technologie verbundenen Risiken. Wahrscheinlich kommt die Technologie früher als geplant, insbesondere was kritische Layer betrifft."
Die Ankündigung lässt weitere Fragen über die Entwicklung und Wirtschaftlichkeit einer anderen neuen Lithographie-Technologie aufkommen - der EUV-Lithographie (Extreme Ultraviolet). Die EUV sollte ursprünglich 2007 in großem Stil in die Fabs Einzug halten. Doch Intel und andere Unternehmen haben EUV bis 2009 oder darüber hinaus auf die lange Bank geschoben.
Bei auf Immersions-Techniken basierenden Lithographie-Verfahren werden derzeit schnelle Fortschritte erzielt. Die EUV könnte hierdurch ins Abseits geraten. Die Immersion erweitert die optische Lithographie und soll Analysten zufolge um 2005/2006 in die Fabs einziehen.
Bei der Nanoimprint-Lithographie handelt es sich ebenfalls um eine viel versprechende Technologie, die jedoch als Nischenlösung für die Herstellung von MEMS, optischen Bausteinen und anderen Produkten gilt - jedenfalls bislang. Einige sind überzeugt, dass es die Nanoimprint-Tools sogar in die Chip-Massenproduktion schaffen könnten. Sogar Intel soll in die Technologie investieren.
Nanoimprint-Tools werden von verschiedenen Kleinunternehmen entwickelt. Zu diesen wenig bekannten Pionieren gehören unter anderem die EV Group, MII, Nanonex, Obducat und andere.
Diese Unternehmen entwickeln keine konventionellen Fotolithographie-Scanner, sondern Tools, die eher an "Elektronenstrahl-Replikatoren" erinnern. Diese verwenden UV- und Flüssig-Emersions-Technologien für die Erzeugung der gewünschten Muster auf dem Wafer.
Die Aufnahme der Imprint-Lithographie in die ITRS-Roadmap erfolgte auf Empfehlung der Lithography International Technology Working Group (ITWG). MII, Motorola und KLA-Tencor profilierten such bei einer Präsentation auf Einladung der ITWG im Juli 2003 bereits als Vorkämpfer der Imprint-Lithographie.
Die Ankündigung folgt der Veröffentlichung der neuen ITRS-Roadmap auf der diese Woche in Taiwan stattfindenden ITRS-Winterkonferenz. Die Roadmap gilt allgemein als Trendindikator für Halbleiter-Technologien.
