eine SKS mit Ziel 19(MiniGap)wo man einen Long riskieren könnte.
Da der NDX auch angeschlagen ist halte ich die SKS für wahrscheinlicher
bzw. einen Ausbruch über 22,25 für sehr unwahrscheinlich im Moment.
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Mit der neuen Technologie kann Intel die Größe der Chips fast halbieren oder die Anzahl der Transistoren in den Chips deutlich erhöhen. Die neuen Mikroprozessoren sollen vermutlich Ende 2007 auf den Markt kommen.
Unklar blieb am Wochenende, ob sich Intel mit der neuen Technologie signifikant von seinen Wettbewerbern absetzen kann. IBM kündigte am Samstag an, ähnliche Materialien beim Umstieg auf einen neuen 45-Nanometer-Prozess zu nutzen, der gemeinsam mit Intel- Konkurrent AMD, Toshiba und Sony entwickelt worden sei. Die neuen Verfahren würden von Mitte 2008 an bei IBM eingesetzt. Auch Texas Instruments arbeitet nach Angaben eines Firmensprechers an einem neuen Produktionsverfahren mit 45 Nanometern, bei dem Hafnium eingesetzt werde.
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#33cccc" color=#ffffff>Die Freiheit des Menschen liegt nicht darin, daß er tun kann, was er will, sondern das er nicht tun muß, was er nicht will.
Für die Transistoren der nächsten Prozessgeneration verwende man völlig neue Materialien, angeblich zum ersten Mal seit den 60er-Jahren. Eine absichtlich nicht näher beschriebene
Hafnium-Verbindung ersetzt als High-k-Dielektrikum die althergebrachte Siliziumdioxid-Isolatorschicht der Transistor-Gates. Diese kann nun wieder dicker werden, nämlich statt zuletzt 1,2 Nanometer nun grob geschätze 3 nm. Die Hafnium-Verbindung wird mit bereits vorhandener Anlagentechnik schichtenweise aufgebracht.Auch das Elektrodenmaterial der Transistor-Gates wurde optimiert: Statt Polysilizium verwendet Intel nun zwei ebenfalls geheim gehaltene Metalle. Die genaue Verbindung ist dabei laut Bohr weniger wichtig als die präzisen Oxidationszustände sowie die Art und Weise der Aufbringung auf den Wafer.
Laut Bohr sollen die Higk-k-Metal-Gate-Transistoren entweder um über 20 Prozent schneller schalten als die aktuellen 65-nm-Transistoren oder einen um den Faktor 5 reduzierten Leckstrom durchlassen; der Gate-Leckstrom schrumpft auf ein Zehntel. Die Schaltverluste der Transistoren sinken um 30 Prozent. Intel-CEO Paul Otellini persönlich erläuterte, dass die Kostenvorteile und der zeitliche Vorsprung zu der Entscheidung geführt hätten, bei der 45-nm-Technik auf Immersions-Lithografie (und zuvor schon 157-nm-Laser oder SOI-Wafer) zu verzichten. Der Flächenbedarf der 45-nm-Transistoren ist nur noch etwa halb so groß wie bei den 65-nm-Transistoren, was die Fertigungskosten pro CPU senkt oder mehr Transistoren pro Chip ermöglicht.
Bohr zeigte ein Die-Foto des Penryn-Kerns, der dem Merom/Conroe/Woodcrest tatsächlich stark ähnelt. Penryn wird also keine großartigen Architekturverbesserungen bringen, allerdings wohl SSE4, größere Caches und einen schnelleren Frontsidebus. Außerdem wies Bohr ja explizit darauf hin, dass die Taktfrequenz-Reserven wachsen. Ein Penryn-Doppelkern soll 410 Millionen Transistoren enthalten, beim Core 2 Duo mit 4 MByte L2-Cache sind es 291 Millionen.
Die ersten Penryns sollen aus der Fab D1D in Hillsboro kommen, die im Bau befindlichen 45-nm-Fabs 32 (in Chandler beziehungsweise Ocotillo bei Phoenix/Arizona) und 28 (Kiryat Gat/Israel) sollen im ersten Halbjahr 2008 hochfahren. (Erich Bonnert) / (ciw/c't)
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#33cccc" color=#ffffff>Die Freiheit des Menschen liegt nicht darin, daß er tun kann, was er will, sondern das er nicht tun muß, was er nicht will.
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