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Infineon SiC‑MOSFETs erhöhen Fox ESS Speicherwirkungsgrad bis zu 98,47 Prozent und senken Schaltverluste um 70%

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Infineon Gebäude in Regensburg.
©Infineon / media.relations@infineon.com

Infineon liefert Siliziumkarbid-Halbleiter an Fox ESS, um die Effizienz von Photovoltaik-Heimspeichern durch reduzierte Schaltverluste zu steigern.

Infineon beliefert Fox ESS mit Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern (SiC-MOSFETs), um die Effizienz von Photovoltaik-Heimspeichern zu steigern. Durch den Einsatz der Technologie im Speicher „PQ3-Ultra“ können Schaltverluste um 70 Prozent reduziert und Wirkungsgrade von bis zu 98,78 Prozent erreicht werden. Dank optimierter Kühlung und Verbindungstechnik verbessert sich zudem die thermische Leistungsfähigkeit und Leistungsdichte der Systeme.

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