Infineon und Micron geben RLDRAM-II-Spezifikationen bekannt
Die Münchner Infineon Technologies AG gab am Montag bekannt, dass der Konzern zusammen mit der US-amerikanischen Micron Technology die vollständigen Spezifikationen der Reduced-Latency-Dynamic-Random-Access-Memory-II-Architektur (RLDRAM II) erzielt habe.
Demnach arbeiten die RLDRAM II-Produkte mit einer Taktrate von bis zu 400 MHz und stellen die zweite Generation von Ultra-High-Speed-Double-Data-Rate- (DDR) SDRAMs dar, die einen schnellen wahlfreien Zugriff mit sehr hoher Bandbreite sowie hoher Speicherdichte kombinieren.
Die RLDRAM-Architektur ist speziell für die Speicheranforderungen moderner Kommunikationsanwendungen mit hoher Bandbreite ausgelegt. Die Bausteinarchitektur mit acht Speicherbänken ist für hohe Geschwindigkeit optimiert und erzielt mit Hilfe einer 36-Bit-Schnittstelle und 400 MHz-Systemtakt eine Spitzen-Bandbreite von 28,8 Gigabit pro Sekunde (Gbit/s).
Die Münchner Infineon Technologies AG gab am Montag bekannt, dass der Konzern zusammen mit der US-amerikanischen Micron Technology die vollständigen Spezifikationen der Reduced-Latency-Dynamic-Random-Access-Memory-II-Architektur (RLDRAM II) erzielt habe.
Demnach arbeiten die RLDRAM II-Produkte mit einer Taktrate von bis zu 400 MHz und stellen die zweite Generation von Ultra-High-Speed-Double-Data-Rate- (DDR) SDRAMs dar, die einen schnellen wahlfreien Zugriff mit sehr hoher Bandbreite sowie hoher Speicherdichte kombinieren.
Die RLDRAM-Architektur ist speziell für die Speicheranforderungen moderner Kommunikationsanwendungen mit hoher Bandbreite ausgelegt. Die Bausteinarchitektur mit acht Speicherbänken ist für hohe Geschwindigkeit optimiert und erzielt mit Hilfe einer 36-Bit-Schnittstelle und 400 MHz-Systemtakt eine Spitzen-Bandbreite von 28,8 Gigabit pro Sekunde (Gbit/s).
