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Ferdinand Braun Institut kauft weitere AIXTRON-Multiwafer-Anlage für LEDs
Aachen, 6. Mai 2008 – Das Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) hat eine AIXTRON MOCVD*-Planetenanlage mit einer Kapazität von 8x4 Zoll-Wafern bestellt.
Das FBH mit Sitz in Berlin wird mit der AIX 2600G3HT-Anlage seine Forschung und Entwicklung von UV-LEDs**, Laserdioden und Transistoren (HFET***) auf Galliumnitridbasis (GaN) weiter intensivieren.
Dr. Markus Weyers, Leiter der Abteilung Materialtechnologie, erläutert die Entscheidung: „Das FBH hat bereits mit dem Betrieb verschiedener AIXTRON MOCVD-Anlagen Erfahrungen gesammelt. Wir arbeiten bereits mit einer AIX 2600G3HT Planetenanlage mit einer Kapazität von 8x3 Zoll- oder 11x2 Zoll Wafern. Deshalb sind wir zuversichtlich, dass wir darauf aufbauend in kurzer Zeit UV-LEDs effizient herstellen können. Mit der neuen Anlage werden wir insbesondere dünne, homogene Aluminiumnitrid- (AlN) Hochtemperaturschichten mit guter kristalliner Qualität reproduzierbar abscheiden. Wir halten die Anlagen des Typs AIX 2600G3 aufgrund ihrer Prozessstabilität und ihrer Zuverlässigkeit besonders für die Herstellung solch anspruchsvoller Halbleitermaterialien bestens geeignet. Damit werden diese einen großen Beitrag zu unserem hoch interessanten Forschungsprojekt leisten.“
*MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition
= Metall-organische Gasphasenabscheidung
**UV-LEDs, LEDs im ultravioletten Wellenlängenbereich
***HFET, Heterostructure Field Effect Transistor
= Feldeffekttransistor
Aachen, 6. Mai 2008 – Das Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) hat eine AIXTRON MOCVD*-Planetenanlage mit einer Kapazität von 8x4 Zoll-Wafern bestellt.
Das FBH mit Sitz in Berlin wird mit der AIX 2600G3HT-Anlage seine Forschung und Entwicklung von UV-LEDs**, Laserdioden und Transistoren (HFET***) auf Galliumnitridbasis (GaN) weiter intensivieren.
Dr. Markus Weyers, Leiter der Abteilung Materialtechnologie, erläutert die Entscheidung: „Das FBH hat bereits mit dem Betrieb verschiedener AIXTRON MOCVD-Anlagen Erfahrungen gesammelt. Wir arbeiten bereits mit einer AIX 2600G3HT Planetenanlage mit einer Kapazität von 8x3 Zoll- oder 11x2 Zoll Wafern. Deshalb sind wir zuversichtlich, dass wir darauf aufbauend in kurzer Zeit UV-LEDs effizient herstellen können. Mit der neuen Anlage werden wir insbesondere dünne, homogene Aluminiumnitrid- (AlN) Hochtemperaturschichten mit guter kristalliner Qualität reproduzierbar abscheiden. Wir halten die Anlagen des Typs AIX 2600G3 aufgrund ihrer Prozessstabilität und ihrer Zuverlässigkeit besonders für die Herstellung solch anspruchsvoller Halbleitermaterialien bestens geeignet. Damit werden diese einen großen Beitrag zu unserem hoch interessanten Forschungsprojekt leisten.“
*MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition
= Metall-organische Gasphasenabscheidung
**UV-LEDs, LEDs im ultravioletten Wellenlängenbereich
***HFET, Heterostructure Field Effect Transistor
= Feldeffekttransistor
Ich könnte mal wieder die ganze Welt umarmen,aber das wisst ihr ja schon
