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XFab wird wohl eher weniger die PMs von Dialog fertigen.
XFab besitzt nicht die nötigen Prozesse, noch die Kapazitäten (wir reden hier von gut 150 Mio Devices/Jahr alleine für Apple) um für Dialog zu fertigen.
Dialog braucht einen BCD Prozess und sie fertigen in 250nm und sind dabei oder haben es schon auf 130nm umgestellt.
"Im Geschäftsjahr 2012 haben wir die Übertragung unseres Powermanagement-Know-hows von der 0,25-Mikron-BCD-Technologie auf 0,13-Mikron-BCD vorangetrieben. Die kleinere IC-Geometrie ermöglicht eine noch größere Integration neuer Funktionen in unsere PMICs, darunter auch weitere digitale Powermanagement-Anwendungen. Zusätzlich erhalten wir damit Zugang zu erweiterten Produktionskapazitäten bei unseren Foundry Partnern sowie die Möglichkeit eines späteren Übergangs zur 300-Millimeter-Wafer-Fertigung. Die ersten Muster werden im vierten Quartal 2013 ausgeliefert." (Aus dem Geschäftsbericht von Dialog)
XFab bietet aber nur einen 0,6µm BiCMOS Prozess an (http://www.xfab.com/de/technologien/bicmos/) und alleine vom Umsatz würde es nicht passen. Dazu sind sie viel zu klein um die Massen an Chips für Dialog zu fertigen.
Ausserdem hat Dialog eine Partnerschaft mit TSMC (http://www.dialog-semiconductor.com/media-centre/...ement-leadership) und dieses Die Foto (https://www.chipworks.com/Products/338S0973_D1881A_diemrk2.jpg) zeigt ein Die-Mark mit der Beschiftung T25BCD. Ich gehe davon aus, dass es sich um einen 250nm BCD Prozess von TSMC handelt.
zu Qualcomm: wenn sie das PM in den SoC integrieren, müssen sie immer einen Spagat zwischen hoher Performance und niedrigem Verbrauch machen, da beiden Welten, die des PM und die des Prozessors, von ihren Anforderungen zu Grundverschieden sind. Ein PM benötigt einen high voltage Prozess in der Regel einen BiCMOS, BCD Prozess, da neben CMOS Elementen auch Bipolartransistoren integriert werden müssen. Dazu muss das ganze auch bei hohen Spannungen funktionieren wegen der Schaltregler. Ein Prozessor braucht in der Regel entweder einen High Performance Prozess, bei dem die Schaltzeiten der Transistoren kurz gehalten werden, die dafür aber einen erhöhten Leckstrom aufweisen. Oder es handelt sich um einen low voltage Prozess, der zwar einen geringen Leckstrom aufweist, dafür aber auch nicht so performant ist. Im Mobilprozessoren wird heute in der Regel eine Mischung aus beiden verwendet (Big-Little Konzept). Im Endeffekt ist die Integration des PM eine Gratwanderung. Will man den HV Bereich nicht auf dem SoC haben, so steigt die BOM deutlich an, da mehr externe Bauteile verwendet werden, die auch wieder einen größeren Platzbedarf haben. Bei Intel haben die in den Haswell integrierten Bucks z.B. nur eine Effizienz von ca. 70%. Externe Bucks kommen häufig auf deutlich über 90%.
Gerade bei Mobiltelfonen ist aber nicht nur der Verbrauch, sondern auch der Leckstrom ein großes Thema, da die Batterie nur 2500-3000mAh hat. Bei Tablets und Notebooks ist das dank großer Akkus schon deutlich entspannter.
Ich glaube, dass Dialog mit seinen integrierten PM Lösungen sehr gut aufgestellt ist und attraktive Produkte anbieten kann. Und da es neben Qualcomm noch zig weitere bedeutende SoC Hersteller gibt (Broadcom, TI, Samsung, Marvell, Nvidia, Mediatek, ...), die nicht das Knowhow besitzen, bleibt Dialog eine interessante Lösung fürs PM mit einem sehr geringen Footprint dank hoher Integration.
@hzenger: Maxim als direkter Konkurent besitzt eigene Fabs genauso wie TI, die btw. vor einigen Jahren das 300mm Equipment von Qimonda erworben haben um als erste Analogchips auf 300mm zu fertigen. Allerdings sind davon andere Analoghersteller wie OnSemi oder Fairchild betroffen.
Um so älter die Prozesse sind, desto mehr Hersteller tummeln sich auf dem Spielfeld. Nur bei den Edgetechnologien sind es nur noch ein paar wenige, neben Intel, TSMC und Global Foundries auch noch Samsung, UMC, und nicht zu vergessen die Speicherhersteller Hynix, Micron und Toshiba, die ebenfalls eigene Fabs unterhalten.
MfG
XFab besitzt nicht die nötigen Prozesse, noch die Kapazitäten (wir reden hier von gut 150 Mio Devices/Jahr alleine für Apple) um für Dialog zu fertigen.
Dialog braucht einen BCD Prozess und sie fertigen in 250nm und sind dabei oder haben es schon auf 130nm umgestellt.
"Im Geschäftsjahr 2012 haben wir die Übertragung unseres Powermanagement-Know-hows von der 0,25-Mikron-BCD-Technologie auf 0,13-Mikron-BCD vorangetrieben. Die kleinere IC-Geometrie ermöglicht eine noch größere Integration neuer Funktionen in unsere PMICs, darunter auch weitere digitale Powermanagement-Anwendungen. Zusätzlich erhalten wir damit Zugang zu erweiterten Produktionskapazitäten bei unseren Foundry Partnern sowie die Möglichkeit eines späteren Übergangs zur 300-Millimeter-Wafer-Fertigung. Die ersten Muster werden im vierten Quartal 2013 ausgeliefert." (Aus dem Geschäftsbericht von Dialog)
XFab bietet aber nur einen 0,6µm BiCMOS Prozess an (http://www.xfab.com/de/technologien/bicmos/) und alleine vom Umsatz würde es nicht passen. Dazu sind sie viel zu klein um die Massen an Chips für Dialog zu fertigen.
Ausserdem hat Dialog eine Partnerschaft mit TSMC (http://www.dialog-semiconductor.com/media-centre/...ement-leadership) und dieses Die Foto (https://www.chipworks.com/Products/338S0973_D1881A_diemrk2.jpg) zeigt ein Die-Mark mit der Beschiftung T25BCD. Ich gehe davon aus, dass es sich um einen 250nm BCD Prozess von TSMC handelt.
zu Qualcomm: wenn sie das PM in den SoC integrieren, müssen sie immer einen Spagat zwischen hoher Performance und niedrigem Verbrauch machen, da beiden Welten, die des PM und die des Prozessors, von ihren Anforderungen zu Grundverschieden sind. Ein PM benötigt einen high voltage Prozess in der Regel einen BiCMOS, BCD Prozess, da neben CMOS Elementen auch Bipolartransistoren integriert werden müssen. Dazu muss das ganze auch bei hohen Spannungen funktionieren wegen der Schaltregler. Ein Prozessor braucht in der Regel entweder einen High Performance Prozess, bei dem die Schaltzeiten der Transistoren kurz gehalten werden, die dafür aber einen erhöhten Leckstrom aufweisen. Oder es handelt sich um einen low voltage Prozess, der zwar einen geringen Leckstrom aufweist, dafür aber auch nicht so performant ist. Im Mobilprozessoren wird heute in der Regel eine Mischung aus beiden verwendet (Big-Little Konzept). Im Endeffekt ist die Integration des PM eine Gratwanderung. Will man den HV Bereich nicht auf dem SoC haben, so steigt die BOM deutlich an, da mehr externe Bauteile verwendet werden, die auch wieder einen größeren Platzbedarf haben. Bei Intel haben die in den Haswell integrierten Bucks z.B. nur eine Effizienz von ca. 70%. Externe Bucks kommen häufig auf deutlich über 90%.
Gerade bei Mobiltelfonen ist aber nicht nur der Verbrauch, sondern auch der Leckstrom ein großes Thema, da die Batterie nur 2500-3000mAh hat. Bei Tablets und Notebooks ist das dank großer Akkus schon deutlich entspannter.
Ich glaube, dass Dialog mit seinen integrierten PM Lösungen sehr gut aufgestellt ist und attraktive Produkte anbieten kann. Und da es neben Qualcomm noch zig weitere bedeutende SoC Hersteller gibt (Broadcom, TI, Samsung, Marvell, Nvidia, Mediatek, ...), die nicht das Knowhow besitzen, bleibt Dialog eine interessante Lösung fürs PM mit einem sehr geringen Footprint dank hoher Integration.
@hzenger: Maxim als direkter Konkurent besitzt eigene Fabs genauso wie TI, die btw. vor einigen Jahren das 300mm Equipment von Qimonda erworben haben um als erste Analogchips auf 300mm zu fertigen. Allerdings sind davon andere Analoghersteller wie OnSemi oder Fairchild betroffen.
Um so älter die Prozesse sind, desto mehr Hersteller tummeln sich auf dem Spielfeld. Nur bei den Edgetechnologien sind es nur noch ein paar wenige, neben Intel, TSMC und Global Foundries auch noch Samsung, UMC, und nicht zu vergessen die Speicherhersteller Hynix, Micron und Toshiba, die ebenfalls eigene Fabs unterhalten.
MfG
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