Der deutsche Chiphersteller Infineon gab am Mittwoch bekannt, dass der Konzern mit der taiwanesischen Nanya Technology Corporation nun endgültige Verträge über die strategische Zusammenarbeit bei Standard-Speicherchips (DRAMs) unterzeichnet habe.
Damit könnten beide Partner nun ihre Marktposition für Speicherchips ausbauen und die Entwicklungskosten teilen, so die Mitteilung des Konzerns weiter. Der Vertrag sieht vor, die 0,09-µm- und 0,07-µm-Fertigungstechnologien für 300-mm-Wafer gemeinsam zu entwickeln. Im Rahmen des Abkommens haben die Unternehmen zudem ein 50:50-Joint Venture für die Fertigung von DRAM-Chips gegründet und bauen ein neues gemeinsames 300-mm-Werk in Taiwan.
In diesem werde auch die gemeinsam entwickelte Fertigungstechnik eingesetzt. Die maximale Kapazität der Produktion werde im Endausbau monatlich bis zu 50.000 Waferstarts betragen, wobei die ersten 300-mm-Wafer bereits Ende 2003 gefertigt werden, so Infineon.
Quelle: www.finance-online.de
Damit könnten beide Partner nun ihre Marktposition für Speicherchips ausbauen und die Entwicklungskosten teilen, so die Mitteilung des Konzerns weiter. Der Vertrag sieht vor, die 0,09-µm- und 0,07-µm-Fertigungstechnologien für 300-mm-Wafer gemeinsam zu entwickeln. Im Rahmen des Abkommens haben die Unternehmen zudem ein 50:50-Joint Venture für die Fertigung von DRAM-Chips gegründet und bauen ein neues gemeinsames 300-mm-Werk in Taiwan.
In diesem werde auch die gemeinsam entwickelte Fertigungstechnik eingesetzt. Die maximale Kapazität der Produktion werde im Endausbau monatlich bis zu 50.000 Waferstarts betragen, wobei die ersten 300-mm-Wafer bereits Ende 2003 gefertigt werden, so Infineon.
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