DER GIGANTISCHE MARKT DER DATENSPEICHER - EU UNTERSTÜTZT AIXTRONS TRICENTÒ-TECHNOLOGIE FÜR RAMS VON MORGEN
Aachen, 05. Oktober 2001 - AIXTRON freut sich zu bestätigen, dass das Projekt "Ferroelectric CVD Layers for Memory Applications (FECLAM)" von der EU unterstützt wird. Ziel dieses Projektes ist die Entwicklung einer Produktionsanlage, in der ferroelektrische elektronische Bauelemente auf 300mm Wafern hergestellt werden. Im Rahmen dieses Projektes wird eine bereits bestehende Anlage so überarbeitet, dass sie zur Herstellung weiter optimierter ferroelektrischer Materialien unter Verwendung der HeterowaferÒ -Technologie eingesetzt und in einer Produktionslinie für Speicherchips integriert werden kann. Die hierbei eingesetzten Produktionsprozesse basieren auf der MOCVD-Technologie, die die hierfür erforderlichen exzellenten Materialqualitäten liefern kann. Es wird erwartet, dass ferroelektrische Speicherchips viele heutige Chips ersetzen. Die neuartigen ferroelektrischen Speicher, die sog. ‚Universal RAM', vereinigen die ultra-schnellen Lese- und Schreibzeiten von DRAMs mit den nicht-flüchtigen Eigenschaften von EEPROMs.
Diesen ‚Universal RAMs' öffent sich ein extrem breit diversifizierter Markt, u.a. für Personalcomputer, Mobiltelefonen, Chipkarten sowie Anwendungen in der drahtlosen Datenübertragung. Der erwartete weltweite DRAM-Markt hat ein Volumen von ca. 25 Milliarden Euro und der FLASH EEPROM-Markt ein Volumen von ca. 8,9 Milliarden Euro. Mobilfunk Anwendungen der ‚Universal RAMs' können weltweit in über 110 Millionen digitaler Handys stattfinden, inkl. der rauschfilternden Kondensatoren. Weitere Vorteile dieser künftigen RAMs: Die Architektur von PCBs vereinfacht sich. Die Kondensatoren für die Rauschfilter können direkt auf den logischen Komponenten plaziert werden. Darüberhinaus wird die Chipherstellung kosteneffektiver: Die Herstellung der Memorychips ist kompatibel mit der Prozessabläufen bei der Fertigung logischer Bauelemente aus Silizium.
Um diese neue Technologie zu ermöglichen werden weiterentwickelte Anlagen zur Herstellung ferroelektrischer Schichten benötigt. Das vorliegende Projekt wird sich ausschließlich auf Produktionsanlagen für diesen Schlüsselschritt konzentrieren. AIXTRONs TricentÒ MOCVD-Anlage ist die fortschrittlichste 200/300mm Anlage (cluster/bridge tool), geeignet für die Herstellung ferroelektrischer Materialien (u.a. SBT, PZT) und high-k Materialien für Kondensatoren (BST) sowie Gate-Dielektrika (ZrO2, HfO2). Für die SBT-Technologie besitzt AIXTRON exklusive Lizenzen für MOCVD unter allen SYMETRIX-Patenten. SBT und PZT sind etablierte Materialien für ferroelektrische nicht-volatile Speicher und besonders attraktiv aufgrund der niedrigen benötigten Spannung und der hohen Schreibgeschwindigkeit. BST ist ein etabliertes Material für dielektrische Kondensatoren in künftigen DRAMs, die aufgrund ihrer hohen Dielektrizitätszahl eine erhebliche Verkleinerung der Kondensatoren erlauben. ZrO2 und HfO2 werden als möglicher Ersatz für die derzeit verwendeten Materialien bei Gate-Oxiden untersucht.
Das Konsortium besteht aus dem Technologielieferanten AIXTRON, Anwendern der IC-Industrie (Motorola, AustriaMicroSystems, Infineon) und einem Forschungsinstitut (Fraunhofer IIS-B, Erlangen, Deutschland), die zusammen große Erfahrung in der CVD-Technologie besitzen und auch die nötige Ausrüstung und Infrastruktur besitzen. In einer Pionierarbeit wird das Konsortium eine marktfähige Produktionstechnologie für ferroelektrische Materialschichten entwickeln, die es gegenwärtig auf dem Markt nicht gibt. Zusätzlich wird eine Gruppe von Anwendern bzw. möglichen Anwender dieser Technologie den Fortschritts des Projektes beobachten und dem Konsortium Rückmeldung zu technologischen und wirtschaftlichen Trends geben.
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For further information please contact:
Dr. Claus Ehrenbeck
Head of Investor Relations and Corporate Communications
AIXTRON AG
Kackertstr. 15 - 17
52072 Aachen, Germany
Phone: +49.241.8909.444
Fax: +49.241.8909.445
E-mail: C.Ehrenbeck@aixtron.com
www.aixtron.com
Gruss Linus
Aachen, 05. Oktober 2001 - AIXTRON freut sich zu bestätigen, dass das Projekt "Ferroelectric CVD Layers for Memory Applications (FECLAM)" von der EU unterstützt wird. Ziel dieses Projektes ist die Entwicklung einer Produktionsanlage, in der ferroelektrische elektronische Bauelemente auf 300mm Wafern hergestellt werden. Im Rahmen dieses Projektes wird eine bereits bestehende Anlage so überarbeitet, dass sie zur Herstellung weiter optimierter ferroelektrischer Materialien unter Verwendung der HeterowaferÒ -Technologie eingesetzt und in einer Produktionslinie für Speicherchips integriert werden kann. Die hierbei eingesetzten Produktionsprozesse basieren auf der MOCVD-Technologie, die die hierfür erforderlichen exzellenten Materialqualitäten liefern kann. Es wird erwartet, dass ferroelektrische Speicherchips viele heutige Chips ersetzen. Die neuartigen ferroelektrischen Speicher, die sog. ‚Universal RAM', vereinigen die ultra-schnellen Lese- und Schreibzeiten von DRAMs mit den nicht-flüchtigen Eigenschaften von EEPROMs.
Diesen ‚Universal RAMs' öffent sich ein extrem breit diversifizierter Markt, u.a. für Personalcomputer, Mobiltelefonen, Chipkarten sowie Anwendungen in der drahtlosen Datenübertragung. Der erwartete weltweite DRAM-Markt hat ein Volumen von ca. 25 Milliarden Euro und der FLASH EEPROM-Markt ein Volumen von ca. 8,9 Milliarden Euro. Mobilfunk Anwendungen der ‚Universal RAMs' können weltweit in über 110 Millionen digitaler Handys stattfinden, inkl. der rauschfilternden Kondensatoren. Weitere Vorteile dieser künftigen RAMs: Die Architektur von PCBs vereinfacht sich. Die Kondensatoren für die Rauschfilter können direkt auf den logischen Komponenten plaziert werden. Darüberhinaus wird die Chipherstellung kosteneffektiver: Die Herstellung der Memorychips ist kompatibel mit der Prozessabläufen bei der Fertigung logischer Bauelemente aus Silizium.
Um diese neue Technologie zu ermöglichen werden weiterentwickelte Anlagen zur Herstellung ferroelektrischer Schichten benötigt. Das vorliegende Projekt wird sich ausschließlich auf Produktionsanlagen für diesen Schlüsselschritt konzentrieren. AIXTRONs TricentÒ MOCVD-Anlage ist die fortschrittlichste 200/300mm Anlage (cluster/bridge tool), geeignet für die Herstellung ferroelektrischer Materialien (u.a. SBT, PZT) und high-k Materialien für Kondensatoren (BST) sowie Gate-Dielektrika (ZrO2, HfO2). Für die SBT-Technologie besitzt AIXTRON exklusive Lizenzen für MOCVD unter allen SYMETRIX-Patenten. SBT und PZT sind etablierte Materialien für ferroelektrische nicht-volatile Speicher und besonders attraktiv aufgrund der niedrigen benötigten Spannung und der hohen Schreibgeschwindigkeit. BST ist ein etabliertes Material für dielektrische Kondensatoren in künftigen DRAMs, die aufgrund ihrer hohen Dielektrizitätszahl eine erhebliche Verkleinerung der Kondensatoren erlauben. ZrO2 und HfO2 werden als möglicher Ersatz für die derzeit verwendeten Materialien bei Gate-Oxiden untersucht.
Das Konsortium besteht aus dem Technologielieferanten AIXTRON, Anwendern der IC-Industrie (Motorola, AustriaMicroSystems, Infineon) und einem Forschungsinstitut (Fraunhofer IIS-B, Erlangen, Deutschland), die zusammen große Erfahrung in der CVD-Technologie besitzen und auch die nötige Ausrüstung und Infrastruktur besitzen. In einer Pionierarbeit wird das Konsortium eine marktfähige Produktionstechnologie für ferroelektrische Materialschichten entwickeln, die es gegenwärtig auf dem Markt nicht gibt. Zusätzlich wird eine Gruppe von Anwendern bzw. möglichen Anwender dieser Technologie den Fortschritts des Projektes beobachten und dem Konsortium Rückmeldung zu technologischen und wirtschaftlichen Trends geben.
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